SI7121ADN-T1-GE3

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SI7121ADN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0125 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 27.8 W

阈值电压 2.5 V

上升时间 34 ns

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK-1212-8

外形尺寸

封装 PowerPAK-1212-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7121ADN-T1-GE3
型号: SI7121ADN-T1-GE3
描述:VISHAY  SI7121ADN-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -18A, POWERPAK1212-8
替代型号SI7121ADN-T1-GE3
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