SIHU3N50D-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIHU3N50D-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 2.6 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 104 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 175pF @10VVds

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 104 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 2.39 mm

高度 6.22 mm

封装 TO-251

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIHU3N50D-GE3

型号： SIHU3N50D-GE3

描述：VISHAY SIHU3N50D-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 500 V, 2.6 ohm, 10 V, 3 V

替代型号SIHU3N50D-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SIHU3N50D-GE3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
IRFU420PBF 威世	类似代替	SIHU3N50D-GE3和IRFU420PBF的区别

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