VISHAY SI3483CDV-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -30 V, 0.027 ohm, -10 V, -3 V
The is a 30VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.
- .
- -55 to 150°C Operating temperature range
得捷:
MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOP T/R
Newark:
# VISHAY SI3483CDV-T1-E3 MOSFET Transistor, P Channel, -8 A, -30 V, 0.027 ohm, 20 V, -3 V
针脚数 6
漏源极电阻 0.027 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds -30.0 V
连续漏极电流Ids -8.00 A
输入电容Ciss 1000pF @15VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP
高度 1 mm
封装 TSOP
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI3483CDV-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI3483CDV-T1-GE3 威世 | 功能相似 | SI3483CDV-T1-E3和SI3483CDV-T1-GE3的区别 |