SI3430DV-T1-GE3

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SI3430DV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.17 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 2.40 A, 1.80 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP-6

外形尺寸

长度 3.05 mm

宽度 1.65 mm

高度 1.1 mm

封装 TSOP-6

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SI3430DV-T1-GE3
描述:VISHAY  SI3430DV-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道

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