SI3447CDV-T1-E3

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SI3447CDV-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

极性 P-Channel

耗散功率 2.00 W

漏源极电压Vds -12.0 V

连续漏极电流Ids -7.80 A

上升时间 40 ns

下降时间 20 ns

封装参数

引脚数 6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SI3447CDV-T1-E3
描述:P通道12 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 12-V D-S MOSFET

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