SI4833ADY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI4833ADY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 P-Channel

漏源极电压Vds -30.0 V

连续漏极电流Ids -4.60 A

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI4833ADY-T1-GE3

型号： SI4833ADY-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：Trans MOSFET P-CH 30V 3.85A 8Pin SOIC N T/R