SI1473DH-T1-E3

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SI1473DH-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

极性 P-Channel

耗散功率 2.78 mW

漏源极电压Vds 30.0 V

连续漏极电流Ids 1.60 A

封装参数

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SI1473DH-T1-E3
描述:P通道30 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 30-V D-S MOSFET

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