SQ2362ES-T1_GE3

SQ2362ES-T1_GE3图片1
SQ2362ES-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.125 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.3 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 60 V

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号: SQ2362ES-T1_GE3
描述:VISHAY SQ2362ES-T1_GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 2.3A, 60V, 0.125Ω, 10V, 2V New

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