VISHAY SI8406DB-T2-E1 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 20 V, 0.026 ohm, 4.5 V, 400 mV
The is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, battery management and boost converter applications.
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- 1.5 x 1mm Maximum ultra-small outline
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- 0.59mm Maximum ultra-thin height
欧时:
### N 通道 MOSFET，8V 至 25V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
贸泽:
MOSFET 20V 16A 13W 33mohm @ 4.5V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 7.8A 6-Pin Micro Foot
安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 7.8A 6-Pin Micro Foot T/R
富昌:
Si8406DB 系列 20 V 0.033 Ohm 表面贴装 N 沟道 MOSFET - MICRO FOOT
针脚数 6
漏源极电阻 0.026 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 13 W
阈值电压 400 mV
漏源极电压Vds 20 V
输入电容Ciss 1315pF @12.5VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.9 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 MicroFoot-6
长度 1.5 mm
宽度 1 mm
高度 0.31 mm
封装 MicroFoot-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15