SI4346DY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI4346DY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 0.019 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.31 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 5.90 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4346DY-T1-GE3

型号： SI4346DY-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：Trans MOSFET N-CH 30V 5.9A 8Pin SOIC N T/R

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