SQS420EN-T1-GE3

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SQS420EN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0235 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 18 W

阈值电压 600 mV

漏源极电压Vds 20 V

工作温度Max 175 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 1212

外形尺寸

封装 1212

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SQS420EN-T1-GE3
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:VISHAY  SQS420EN-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 20 V, 0.0235 ohm, 4.5 V, 600 mV

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