SI2333DS-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI2333DS-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.025 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 750 mW

漏源极电压Vds -12.0 V

连续漏极电流Ids -4.10 A

输入电容Ciss 1100pF @6VVds

下降时间 60 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 750 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

高度 1.02 mm

封装 SOT-23

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI2333DS-T1-GE3

型号： SI2333DS-T1-GE3

描述：VISHAY SI2333DS-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -4.1A, -12V, 750mW

替代型号SI2333DS-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI2333DS-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
SI2333DS-T1-E3 威世	功能相似	SI2333DS-T1-GE3和SI2333DS-T1-E3的区别

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SI2333DS-T1-GE3

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SI2333DS-T1-E3

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