SIR788DP-T1-GE3

SIR788DP-T1-GE3图片1
SIR788DP-T1-GE3图片2
SIR788DP-T1-GE3图片3
SIR788DP-T1-GE3图片4
SIR788DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

输入电容Ciss 2873pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 48 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

长度 6.25 mm

宽度 5.26 mm

高度 1.12 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIR788DP-T1-GE3
型号: SIR788DP-T1-GE3
描述:N 通道 MOSFET 加集成式肖特基 SkyFET®,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台