SI3460BDV-T1-GE3

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SI3460BDV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 20.0 V

连续漏极电流Ids 6.70 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP-6

外形尺寸

封装 TSOP-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI3460BDV-T1-GE3
型号: SI3460BDV-T1-GE3
描述:Trans MOSFET N-CH 20V 6.7A 6Pin TSOP T/R

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