SIS330DN-T1-GE3

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SIS330DN-T1-GE3概述

VISHAY  SIS330DN-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 30 V, 0.0045 ohm, 10 V, 1.2 V

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


欧时:
### N 通道 MOSFET,30V 至 50V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


e络盟:
VISHAY  SIS330DN-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 30 V, 0.0045 ohm, 10 V, 1.2 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 19.1A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


SIS330DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0045 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 52 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 1300pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 52 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerPAK-1212-8

外形尺寸

长度 3.15 mm

宽度 3.15 mm

高度 1.12 mm

封装 PowerPAK-1212-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIS330DN-T1-GE3
型号: SIS330DN-T1-GE3
描述:VISHAY  SIS330DN-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 30 V, 0.0045 ohm, 10 V, 1.2 V

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