SIS448DN-T1-GE3

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SIS448DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0046 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.7 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 1212

外形尺寸

封装 1212

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIS448DN-T1-GE3
型号: SIS448DN-T1-GE3
描述:Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8Pin PowerPAK 1212 T/R

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