SI7101DN-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7101DN-T1-GE3概述

VISHAY SI7101DN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -35 A, -30 V, 0.0058 ohm, -10 V, -1.2 V

The is a -30V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. The P-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mR and with the capability to handle 85A.

.: Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

.: 100% Rg Tested

.: 100% UIS Tested

SI7101DN-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0058 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 52 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPak-1212-8

外形尺寸

封装 PowerPak-1212-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用电源管理, Power Management

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI7101DN-T1-GE3

型号： SI7101DN-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY SI7101DN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -35 A, -30 V, 0.0058 ohm, -10 V, -1.2 V

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