VISHAY SIHP5N50D-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.3 A, 500 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
The is a D series N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for consumer electronics, telecom power supply and battery charger applications.
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 1.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 104 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 325pF @100VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 104 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.51 mm
宽度 4.65 mm
高度 9.01 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Bulk
制造应用 Industrial, Consumer Electronics, Power Management, Portable Devices
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SIHP5N50D-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF830PBF 威世 | 类似代替 | SIHP5N50D-GE3和IRF830PBF的区别 |