SI4431BDY-T1-GE3

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SI4431BDY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.023 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.5 W

漏源极电压Vds -30.0 V

连续漏极电流Ids -5.70 A

上升时间 10 ns

下降时间 47 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4431BDY-T1-GE3
型号: SI4431BDY-T1-GE3
描述:VISHAY  SI4431BDY-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -5.7A, -30V, 1.5W
替代型号SI4431BDY-T1-GE3
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