SI7315DN-T1-GE3概述
VISHAY SI7315DN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -8.9 A, -150 V, 0.262 ohm, -10 V
The is a 150VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for active clamp in intermediate DC-to-DC power supplies, H-bridge high side switch and load switch applications.
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- Low thermal resistance PowerPAK® package with small size
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- 100% Rg tested
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- 100% UIS tested
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- Halogen-free
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- -50 to 150°C Operating temperature range
SI7315DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.262 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 52 W
上升时间 9 ns
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAK-1212-8
外形尺寸
封装 PowerPAK-1212-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Lighting, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买SI7315DN-T1-GE3
型号： SI7315DN-T1-GE3
描述：VISHAY SI7315DN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -8.9 A, -150 V, 0.262 ohm, -10 V