SISS40DN-T1-GE3

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SISS40DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 3700 mW

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 845pF @50VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3700 mW

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK-1212-8

外形尺寸

高度 0.78 mm

封装 PowerPAK-1212-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SISS40DN-T1-GE3
型号: SISS40DN-T1-GE3
描述:MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212

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