SI5404BDC-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI5404BDC-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.039 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.3 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 7.50 A

上升时间 12 ns

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装公制 3216

封装 1206

外形尺寸

长度 3.2 mm

宽度 1.6 mm

封装公制 3216

封装 1206

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI5404BDC-T1-GE3

型号： SI5404BDC-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY SI5404BDC-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 7.5A, 1206

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