SIR168DP-T1-GE3

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SIR168DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0044 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 5 W

阈值电压 2.4 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 40.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SIR168DP-T1-GE3
描述:MOSFET 30V 40A 34.7W 4.4mohm @ 10V

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