SIR670DP-T1-GE3

SIR670DP-T1-GE3图片1
SIR670DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SIR670DP-T1-GE3
描述:MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

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