SIHD5N50D-E3

SIHD5N50D-E3图片1
SIHD5N50D-E3图片2
SIHD5N50D-E3图片3
SIHD5N50D-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 1.2 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 104 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

上升时间 11 ns

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIHD5N50D-E3
型号: SIHD5N50D-E3
描述:Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3Pin DPAK

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台