SI8413DB-T1-E1

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SI8413DB-T1-E1中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.063 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.47 W

漏源极电压Vds -20.0 V

连续漏极电流Ids -6.50 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 4

封装 MFP-4

外形尺寸

封装 MFP-4

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SI8413DB-T1-E1
描述:VISHAY SI8413DB-T1-E1 MOSFET Transistor, P Channel, -6.5A, -20V, 63mohm, 12V, -1.4V

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