SI7804DN-T1-E3

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SI7804DN-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.03 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.5 W

阈值电压 1.8 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 10.0 A

上升时间 12 ns

下降时间 14 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK-1212-8

外形尺寸

封装 PowerPAK-1212-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7804DN-T1-E3
型号: SI7804DN-T1-E3
描述:N通道30 -V (D -S )快速开关MOSFET N-Channel 30-V D-S Fast Switching MOSFET

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