SIHF6N40D-E3概述
VISHAY SIHF6N40D-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 400 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V
The is a D series N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for consumer electronics, telecom power supply and battery charger applications.
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- Low area specific ON-resistance
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- Low input capacitance CISS
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- Reduced capacitive switching losses
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- High body diode ruggedness
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- Avalanche energy rated UIS
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- Simple gate drive circuitry
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- Low figure-of-merit FOM Ron x Qg
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- Fast switching
SIHF6N40D-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.85 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 30 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 400 V
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 311pF @100VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 30 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.63 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.8 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, Portable Devices, Consumer Electronics, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
在线购买SIHF6N40D-E3
型号： SIHF6N40D-E3
描述：VISHAY SIHF6N40D-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 400 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V