SI8401DB-T1-E1

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SI8401DB-T1-E1中文资料参数规格
技术参数

极性 P-Channel

漏源极电压Vds -20.0 V

连续漏极电流Ids -4.90 A

上升时间 28 ns

下降时间 60 ns

封装参数

封装 MicroFoot-4

外形尺寸

封装 MicroFoot-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI8401DB-T1-E1
型号: SI8401DB-T1-E1
描述:MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP

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