SI8441DB-T2-E1

SI8441DB-T2-E1中文资料参数规格
技术参数

极性 P-Channel

漏源极电压Vds -20.0 V

连续漏极电流Ids -10.5 A

封装参数

引脚数 6

封装 MicroFoot-6

外形尺寸

封装 MicroFoot-6

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SI8441DB-T2-E1
描述:MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP

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