SI4894BDY-T1-E3

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SI4894BDY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.4 W

漏源极电阻 18.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 1.40 W

漏源极电压Vds 30.0 V

连续漏极电流Ids 12.0 A

上升时间 10.0 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买SI4894BDY-T1-E3
型号: SI4894BDY-T1-E3
描述:Trans MOSFET N-CH 30V 8.9A 8Pin SOIC N T/R

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