VISHAY SI4401BDY-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, -40V, 8.7A, SOIC-8, 整卷
The is a 40VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
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- 100% Rg tested
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- -55 to 150°C Operating temperature range
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
富昌:
单 P 沟道 40 V 0.014 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.5A; 2.9W; SO8
Verical:
Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
额定功率 2.9 W
针脚数 8
漏源极电阻 0.011 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.85 W
漏源极电压Vds -40.0 V
连续漏极电流Ids -8.70 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI4401BDY-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI4401DDY-T1-GE3 威世 | 类似代替 | SI4401BDY-T1-E3和SI4401DDY-T1-GE3的区别 |
IRF7240TRPBF 英飞凌 | 功能相似 | SI4401BDY-T1-E3和IRF7240TRPBF的区别 |
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