SI7114DN-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

SI7114DN-T1-GE3图片1

SI7114DN-T1-GE3图片2

SI7114DN-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 30.0 V

连续漏极电流Ids 18.3 A

封装参数

引脚数 8

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI7114DN-T1-GE3

型号： SI7114DN-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：Trans MOSFET N-CH 30V 11.7A 8Pin PowerPAK 1212 T/R