SI4463BDY-T1-GE3

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SI4463BDY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.02 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.5 W

漏源极电压Vds -20.0 V

连续漏极电流Ids 13.7 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI4463BDY-T1-GE3
型号: SI4463BDY-T1-GE3
描述:VISHAY  SI4463BDY-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 13.7A, SOIC
替代型号SI4463BDY-T1-GE3
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