SI7703EDN-T1-E3

SI7703EDN-T1-E3图片1
SI7703EDN-T1-E3图片2
SI7703EDN-T1-E3图片3
SI7703EDN-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 90.0 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 1.30 W

漏源极电压Vds -20.0 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids -6.30 A

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7703EDN-T1-E3
型号: SI7703EDN-T1-E3
描述:Trans MOSFET P-CH 20V 4.3A 8Pin PowerPAK 1212 T/R

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台