SI4426DY-T1-E3

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SI4426DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 25.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 1.50 W

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids -8.50 A to 8.50 A

封装参数

封装 SO

外形尺寸

封装 SO

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4426DY-T1-E3
型号: SI4426DY-T1-E3
描述:Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8Pin SOIC N T/R

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