SIHD6N62E-GE3

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SIHD6N62E-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.78 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 78 W

漏源极电压Vds 620 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SIHD6N62E-GE3
描述:VISHAY  SIHD6N62E-GE3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 620 V, 0.78 ohm, 10 V

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