SI5441BDC-T1-GE3

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SI5441BDC-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.08 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 12 V

漏源极电压Vds -20.0 V

连续漏极电流Ids 61.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装公制 3216

封装 1206

外形尺寸

长度 3.05 mm

宽度 1.65 mm

高度 1.1 mm

封装公制 3216

封装 1206

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SI5441BDC-T1-GE3
描述:VISHAY  SI5441BDC-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 61A, 1206

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