SIHU6N62E-GE3

SIHU6N62E-GE3图片1
SIHU6N62E-GE3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.9 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 78 W

阈值电压 4 V

漏源击穿电压 620 V

上升时间 10 ns

下降时间 16 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 2.39 mm

高度 6.22 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SIHU6N62E-GE3
描述:Trans MOSFET N-CH 620V 6A 3Pin IPAK

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