SQD50N05-11L-GE3

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SQD50N05-11L-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.009 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 75 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 50 V

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Automotive, 车用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SQD50N05-11L-GE3
描述:VISHAY  SQD50N05-11L-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 50 V, 0.009 ohm, 10 V, 2 V

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