VISHAY SQD45P03-12-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -30 V, 0.008 ohm, -10 V, -1.5 V
The is a 30VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
针脚数 3
漏源极电阻 0.008 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 71 W
工作温度Max 175 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252
RoHS标准 RoHS Compliant
数据手册