SQD45P03-12-GE3

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SQD45P03-12-GE3概述

VISHAY  SQD45P03-12-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -30 V, 0.008 ohm, -10 V, -1.5 V

The is a 30VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.

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100% Rg tested
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100% UIS tested
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AEC-Q101 qualified
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Package with low thermal resistance
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Halogen-free
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-55 to 175°C Operating temperature range
SQD45P03-12-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.008 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 71 W

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SQD45P03-12-GE3
描述:VISHAY  SQD45P03-12-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -30 V, 0.008 ohm, -10 V, -1.5 V

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