SIHP10N40D-GE3

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SIHP10N40D-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 147 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 400 V

输入电容Ciss 526pF @100VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 147 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.51 mm

宽度 4.65 mm

高度 9.01 mm

封装 TO-220-3

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SIHP10N40D-GE3
描述:VISHAY  SIHP10N40D-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 400 V, 0.5 ohm, 10 V, 3 V

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