SQD25N06-22L-GE3

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SQD25N06-22L-GE3概述

VISHAY  SQD25N06-22L-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 60 V, 0.018 ohm, 10 V, 2 V

The is a 60VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.

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100% Rg tested
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100% UIS tested
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AEC-Q101 qualified
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Package with low thermal resistance
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Halogen-free
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-55 to 175°C Operating temperature range
SQD25N06-22L-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.018 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 62 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 60 V

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SQD25N06-22L-GE3
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:VISHAY  SQD25N06-22L-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 60 V, 0.018 ohm, 10 V, 2 V

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