SIR640ADP-T1-GE3

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SIR640ADP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.00165 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 104 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 40 V

输入电容Ciss 4240pF @20VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 6250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

高度 1.07 mm

封装 SO-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买SIR640ADP-T1-GE3
型号: SIR640ADP-T1-GE3
描述:VISHAY SIR640ADP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 100A, 40V, 0.00165Ω, 10V, 2V New
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