漏源极电阻 0.00165 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 104 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 40 V
输入电容Ciss 4240pF @20VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 6250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-8
高度 1.07 mm
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
数据手册
SIR640ADP-T1-GE3
Vishay Semiconductor 威世
当前型号
SIR640DP-T1-GE3
威世
功能相似