SI7742DP-T1-GE3

SI7742DP-T1-GE3图片1
SI7742DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 30.0 V

连续漏极电流Ids 60.0 A

上升时间 18 ns

下降时间 23 ns

封装参数

引脚数 8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI7742DP-T1-GE3
型号: SI7742DP-T1-GE3
描述:VISHAY  SI7742DP-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 60A, SOIC

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台