SI7170DP-T1-GE3

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SI7170DP-T1-GE3概述

VISHAY  SI7170DP-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 40A, SOIC, 整卷

* Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition * TrenchFET® Power MOSFET * 100 % Rg and Avalanche Tested * Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC


得捷:
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8


e络盟:
VISHAY  SI7170DP-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 40A, SOIC, 整卷


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 28.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 28.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R


富昌:
N 沟道 30 V 40 A 3.4 mOhm 48 W D-S Mosfet - SOIC-8


SI7170DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 4.3 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 5 W

阈值电压 2.6 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 40.0 A

上升时间 10 ns

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7170DP-T1-GE3
型号: SI7170DP-T1-GE3
描述:VISHAY  SI7170DP-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 40A, SOIC, 整卷

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