SI4634DY-T1-GE3

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SI4634DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 6.7 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 2.6 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 24.5 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

宽度 3.9 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4634DY-T1-GE3
型号: SI4634DY-T1-GE3
描述:VISHAY  SI4634DY-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 24.5A, SOIC, 整卷
替代型号SI4634DY-T1-GE3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SI4634DY-T1-GE3

Vishay Semiconductor 威世

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