针脚数 8
漏源极电阻 0.014 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 5 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 35.0 A
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册
SI7686DP-T1-GE3
Vishay Semiconductor 威世
当前型号
SIR472DP-T1-GE3
威世
功能相似