SI7102DN-T1-E3

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SI7102DN-T1-E3概述

VISHAY  SI7102DN-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 12 V, 0.0031 ohm, 4.5 V, 1 V

The is a 12VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, secondary synchronous rectification and point-of-load applications.

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100% Rg tested
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Low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
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-50 to 150°C Operating temperature range
SI7102DN-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0031 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 52 mW

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 12 V

上升时间 125 ns

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 1212

外形尺寸

封装 1212

物理参数

工作温度 -50℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

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型号: SI7102DN-T1-E3
描述:VISHAY  SI7102DN-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 12 V, 0.0031 ohm, 4.5 V, 1 V

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