N沟道减少的Qg ,快速开关WFET N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET
**Features:
* **Halogen-Free Option Available
* Low-Side Switching
* Low On-Resistance: 5 Ω
* Low Threshold: 0.9 V Typ.
* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.
* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated
* ESD Protected: 2000 V
**Applications:
**
* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories
* Battery Operated Systems
* Power Supply Converter Circuits
* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers
贸泽:
MOSFET 30 Volt 25 Amp 3.5W
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R
Allied Electronics:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDSON 0.0026Ohm; ID 17A; SO-8; PD 1.6W; VGS +/-12V; -55
富昌:
单 N沟道 30 V 3.2 mOhms 表面贴装 功率Mosfet - SOIC-8
漏源极电阻 0.0036 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.6 W
输入电容 8340pF @15V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 17.0 A
输入电容Ciss 8340pF @15VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1600 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-8
长度 5 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.55 mm
封装 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free