SI4368DY-T1-E3

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SI4368DY-T1-E3概述

N沟道减少的Qg ,快速开关WFET N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


贸泽:
MOSFET 30 Volt 25 Amp 3.5W


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R


Allied Electronics:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDSON 0.0026Ohm; ID 17A; SO-8; PD 1.6W; VGS +/-12V; -55


富昌:
单 N沟道 30 V 3.2 mOhms 表面贴装 功率Mosfet - SOIC-8


SI4368DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0036 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.6 W

输入电容 8340pF @15V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 17.0 A

输入电容Ciss 8340pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1600 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.55 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4368DY-T1-E3
型号: SI4368DY-T1-E3
描述:N沟道减少的Qg ,快速开关WFET N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET

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